Transistor de canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V

Transistor de canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.76€
5-24
0.65€
25-49
0.56€
50-99
0.51€
100+
0.43€
Quantidade em estoque: 168

Transistor de canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 5V. C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Equivalentes: IRLR024NPBF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 72A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR024N
32 parâmetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.065 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
5V
C (pol.)
480pF
Custo)
130pF
Diodo Trr (mín.)
60 ns
Equivalentes
IRLR024NPBF
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
72A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Controle de portão por nível lógico
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
7.1 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier