Transistor de canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 4.2A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 740pF. Condicionamento: rolo. Corrente de drenagem: 4.2A. Custo): 90pF. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 1uA. Id(im): 33A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Polaridade: unipolar. Potência: 1.25W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 3000. Vgs(th) mín.: 0.6V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38