Transistor de canal N IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 1.7A. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Função: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(im): 14A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38