Transistor de canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Transistor de canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.15€
5-24
0.97€
25-49
0.84€
50-99
0.77€
100+
0.65€
Quantidade em estoque: 3

Transistor de canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1077pF. Custo): 360pF. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. IDss (min): 1uA. Id(im): 250A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

IRLB8721
30 parâmetros
DI (T=100°C)
45A
DI (T=25°C)
64A
Idss (máx.)
150uA
On-resistência Rds On
0.0065 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
1077pF
Custo)
360pF
Diodo Trr (mín.)
16 ns
Função
Resistência ultrabaixa, comutação rápida
IDss (min)
1uA
Id(im)
250A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
65W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
9 ns
Td(ligado)
9.1ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies