Transistor de canal N IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 7660pF. Custo): 2150pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Controle de portão por nível lógico. IDss (min): 25uA. Id(im): 740A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38