Transistor de canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Transistor de canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.04€
5-24
1.80€
25-49
1.61€
50-99
1.45€
100+
1.26€
Quantidade em estoque: 779

Transistor de canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1800pF. Custo): 350pF. Função: Controle de portão por nível lógico. IDss (min): 25uA. Id(im): 60.4k Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRL540NS
26 parâmetros
DI (T=100°C)
26A
DI (T=25°C)
36A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.044 Ohms
Carcaça
D2PAK ( TO-263 )
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1800pF
Custo)
350pF
Função
Controle de portão por nível lógico
IDss (min)
25uA
Id(im)
60.4k Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
140W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
39 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies