Transistor de canal N IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Carcaça: TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 100V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. Carcaça (padrão JEDEC): -. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Características: -. Cobrar: 49.3nC. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Controlar: Nível lógico. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Corrente de drenagem: 36A. Corrente máxima de drenagem: 36A. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 36A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 36A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRL540N. Montagem/instalação: THT. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Polaridade: unipolar. Potência: 140W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Resistência térmica da habitação: 1.1K/W. RoHS: sim. Série: HEXFET. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: 16V, ±16V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tensão porta/fonte Vgs max: -16V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:42