Transistor de canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V
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Transistor de canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3600pF. Cobrar: 65.3nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 89A. Custo): 870pF. Diodo Trr (mín.): 94us. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 310A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Polaridade: unipolar. Potência: 130W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 10M Ohms. Resistência térmica da habitação: 1.2K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 16V, ±16V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:13