Transistor de canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.13€
5-24
2.75€
25-49
2.44€
50-99
2.20€
100+
1.88€
Quantidade em estoque: 9

Transistor de canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3700pF. Custo): 630pF. Função: Nível Lógico. IDss (min): 10uA. Id(im): 190A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:13

Documentação técnica (PDF)
IRL2910
25 parâmetros
DI (T=100°C)
39A
DI (T=25°C)
55A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.026 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
3700pF
Custo)
630pF
Função
Nível Lógico
IDss (min)
10uA
Id(im)
190A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
49 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier