Transistor de canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v

Transistor de canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v

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Transistor de canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 75A. Marcação do fabricante: L2203NS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:24

Documentação técnica (PDF)
IRL2203NSTRLPBF
17 parâmetros
Carcaça
D²-PAK
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-263
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
30 v
Atraso de desligamento tf[nsec.]
23 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
3290pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.007 Ohms @ 60A
Dissipação máxima Ptot [W]
180W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
75A
Marcação do fabricante
L2203NS
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
11 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
Infineon