Transistor de canal N IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3290pF. Custo): 1270pF. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. IDss (min): 25uA. Id(im): 400A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:13