Transistor de canal N IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Transistor de canal N IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.58€
5-24
3.08€
25-49
2.72€
50-99
2.47€
100+
2.12€
Quantidade em estoque: 81

Transistor de canal N IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 6590pF. Custo): 1710pF. Diodo Trr (mín.): 63 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 20uA. Id(im): 640A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:13

Documentação técnica (PDF)
IRL1404
29 parâmetros
DI (T=100°C)
110A
DI (T=25°C)
160A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.004 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
40V
C (pol.)
6590pF
Custo)
1710pF
Diodo Trr (mín.)
63 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
20uA
Id(im)
640A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
38 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier