Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U. Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 3600pF. Custo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: IRG4PH50U. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 35 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.56V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 10/06/2025, 02:25.