Transistor de canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Transistor de canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
9.02€
5-9
8.15€
10-24
7.47€
25-49
6.94€
50+
6.13€
Quantidade em estoque: 32

Transistor de canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 2800pF. Corrente do coletor: 45A. Custo): 140pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Ic(pulso): 90A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 36ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.77V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35

Documentação técnica (PDF)
IRG4PH50K
25 parâmetros
Ic(T=100°C)
24A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Tensão do coletor/emissor Vceo
1200V
C (pol.)
2800pF
Corrente do coletor
45A
Custo)
140pF
Diodo CE
não
Diodo de germânio
não
Função
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Ic(pulso)
90A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
RoHS
sim
Spec info
td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C
Td(desligado)
200 ns
Td(ligado)
36ns
Temperatura operacional
-40...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.77V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
3V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
International Rectifier