Transistor de canal N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V

Transistor de canal N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V

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Transistor de canal N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V. Carcaça: TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V. Carcaça (padrão JEDEC): -. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1970pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Corrente máxima de drenagem: 64A. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 64A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 64A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRFZ48NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Polaridade: MOSFET N. Potência: 130W. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:47

Documentação técnica (PDF)
IRFZ48NPBF
29 parâmetros
Carcaça
TO220AB
Vdss (dreno para tensão da fonte)
55V
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
55V
On-resistência Rds On
0.014 Ohms
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
55V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
34 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1970pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.014 Ohms @ 32A
Corrente máxima de drenagem
64A
Dissipação máxima Ptot [W]
130W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
64A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
64A
Marcação do fabricante
IRFZ48NPBF
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
130W
Polaridade
MOSFET N
Potência
130W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
12 ns
Tensão de condução
10V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montagem
THT
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
International Rectifier