Transistor de canal N IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor de canal N IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.50€
5-24
1.26€
25-49
1.10€
50-99
1.00€
100+
0.85€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 229

Transistor de canal N IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1812pF. Custo): 393pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 25uA. Id(im): 220A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:13

Documentação técnica (PDF)
IRFZ44V
30 parâmetros
DI (T=100°C)
39A
DI (T=25°C)
55A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
16.5m Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
1812pF
Custo)
393pF
Diodo Trr (mín.)
70 ns
Função
Ultra Low On-Resistance
IDss (min)
25uA
Id(im)
220A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
115W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
40 ns
Td(ligado)
13 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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