Transistor de canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V

Transistor de canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V

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Transistor de canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V. Carcaça: TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 17A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 17A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRFZ24NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Polaridade: MOSFET N. RoHS: sim. Série: HEXFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de montagem: THT. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06

Documentação técnica (PDF)
IRFZ24NPBF
24 parâmetros
Carcaça
TO220AB
Vdss (dreno para tensão da fonte)
55V
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
60V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
25 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
640pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ 10A
Dissipação máxima Ptot [W]
60W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
17A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
17A
Marcação do fabricante
IRFZ24NPBF
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Polaridade
MOSFET N
RoHS
sim
Série
HEXFET
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
13 ns
Tensão de condução
10V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de montagem
THT
Produto original do fabricante
International Rectifier