Transistor de canal N IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V
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Transistor de canal N IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 370pF. Cobrar: 13.3nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 17A. Custo): 140pF. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 68A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Polaridade: unipolar. Potência: 45W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 3.3K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11