Transistor de canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Transistor de canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.16€
5-24
0.98€
25-49
0.86€
50-99
0.76€
100+
0.62€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 96

Transistor de canal N IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IRFUC20
26 parâmetros
DI (T=100°C)
1.2A
DI (T=25°C)
2A
Idss (máx.)
500uA
On-resistência Rds On
4.4 Ohms
Carcaça
TO-251 ( I-Pak )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
350pF
Custo)
48pF
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
100uA
Id(im)
8A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
42W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
30 ns
Td(ligado)
10 ns
Tecnologia
V-MOS
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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