Transistor de canal N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

Transistor de canal N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.34€
5-24
1.11€
25-49
0.94€
50+
0.85€
Quantidade em estoque: 76

Transistor de canal N IRFU210, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 10A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IRFU210
28 parâmetros
DI (T=100°C)
1.7A
DI (T=25°C)
2.6A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
1.5 Ohms
Carcaça
TO-251 ( I-Pak )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
140pF
Custo)
53pF
Diodo Trr (mín.)
150 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
10A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
25W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
14 ns
Td(ligado)
8.2 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Vishay