Transistor de canal N IRFU120N, TO251AA, IPAK. Carcaça: TO251AA, IPAK. Cobrar: 16.7nC. Corrente de drenagem: 9.1A. Montagem/instalação: THT. Polaridade: unipolar. Potência: 39W. Resistência térmica da habitação: 3.2K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:39