Transistor de canal N IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5.8A. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Samsung. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11