Transistor de canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Transistor de canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.13€
5-29
0.96€
30-74
0.84€
75-149
0.75€
150+
0.60€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 54

Transistor de canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 500V. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 8A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFR420
24 parâmetros
DI (T=100°C)
1.5A
DI (T=25°C)
2.4A
Idss
0.025mA
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
3 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Tensão Vds(máx.)
500V
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
8A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
42W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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