Transistor de canal N IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Transistor de canal N IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.04€
5-24
0.89€
25-49
0.79€
50-99
0.71€
100+
0.57€
Quantidade em estoque: 105

Transistor de canal N IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 640pF. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 60A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFR3910
28 parâmetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
16A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.115 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
640pF
Custo)
160pF
Diodo Trr (mín.)
130 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
60A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
79W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
37 ns
Td(ligado)
6.4 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier