Transistor de canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2330pF. Custo): 460pF. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Função: Resistência ultrabaixa, impedância de porta ultrabaixa. IDss (min): 1uA. Id(im): 340A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45