Transistor de canal N IRFR220, TO252AA, DPAK. Carcaça: TO252AA, DPAK. Cobrar: 15nC. Corrente de drenagem: 5A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 43W. Resistência térmica da habitação: 3.5K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:39