Transistor de canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Transistor de canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.82€
5-49
0.70€
50-99
0.61€
100-199
0.54€
200+
0.45€
Quantidade em estoque: 118

Transistor de canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 180pF. Custo): 80pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 17A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFR110
28 parâmetros
DI (T=100°C)
2.7A
DI (T=25°C)
4.3A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.54 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
180pF
Custo)
80pF
Diodo Trr (mín.)
100 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
17A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
25W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
15 ns
Td(ligado)
6.9ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier