Transistor de canal N IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.7A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2900pF. Custo): 270pF. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 27A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45