Transistor de canal N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Transistor de canal N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.37€
5-9
3.94€
10-24
3.61€
25-49
3.38€
50+
3.01€
Quantidade em estoque: 46

Transistor de canal N IRFPC50A, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2100pF. Custo): 270pF. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA-. Id(im): 44A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFPC50A
30 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.58 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
2100pF
Custo)
270pF
Diodo Trr (mín.)
550 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA-
Id(im)
44A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
180W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
33 ns
Td(ligado)
15 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Vishay