Transistor de canal N IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Transistor de canal N IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
8.12€
5-9
7.33€
10-24
6.74€
25-49
6.30€
50+
5.63€
Quantidade em estoque: 45

Transistor de canal N IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 66A. DI (T=25°C): 94A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1070pF. Custo): 6040pF. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. IDss (min): 25uA. Id(im): 380A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 580W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP90N20D
27 parâmetros
DI (T=100°C)
66A
DI (T=25°C)
94A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.023 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
1070pF
Custo)
6040pF
Função
Conversores DC-DC de alta frequência
IDss (min)
25uA
Id(im)
380A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
580W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
43 ns
Td(ligado)
23 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies