Transistor de canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor de canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.84€
5-24
4.40€
25-49
4.05€
50-99
3.76€
100+
3.36€
Quantidade em estoque: 19

Transistor de canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (máx.): 72A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6160pF. Custo): 440pF. Função: Power-MOSFET. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 300A. Nota: Alta freqüência. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5.5V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP4710
27 parâmetros
DI (T=100°C)
51A
DI (T=25°C)
72A
Idss
250uA
Idss (máx.)
72A
On-resistência Rds On
0.011 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
6160pF
Custo)
440pF
Função
Power-MOSFET
IDss (min)
0.1uA
Id(im)
300A
Nota
Alta freqüência
Pd (dissipação de energia, máx.)
190W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
41 ns
Td(ligado)
35 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
3.5V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5.5V
Produto original do fabricante
International Rectifier