Transistor de canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

Transistor de canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

Quantidade
Preço unitário
1-4
11.98€
5-9
10.84€
10-24
9.99€
25-49
9.35€
50+
8.39€
Quantidade em estoque: 30

Transistor de canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. DI (T=100°C): 121A. DI (T=25°C): 694A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0048 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 10470pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 977pF. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 20uA. Id(im): 171A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 517W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP4568PBF
32 parâmetros
DI (T=100°C)
121A
DI (T=25°C)
694A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.0048 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
150V
C (pol.)
10470pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
977pF
Diodo Trr (mín.)
110 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
IDss (min)
20uA
Id(im)
171A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
517W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
47 ns
Td(ligado)
27 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
30
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies