Transistor de canal N IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Transistor de canal N IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.78€
5-9
5.13€
10-24
4.78€
25-49
4.51€
50+
4.24€
Quantidade em estoque: 147

Transistor de canal N IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 5860pF. Custo): 530pF. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Função: Chave PDP. IDss (min): 20uA. Id(im): 230A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Idm--230Ap. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP4332
29 parâmetros
DI (T=100°C)
40A
DI (T=25°C)
57A
Idss (máx.)
1mA
On-resistência Rds On
0.029 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
250V
C (pol.)
5860pF
Custo)
530pF
Diodo Trr (mín.)
190 ns
Função
Chave PDP
IDss (min)
20uA
Id(im)
230A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
360W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Idm--230Ap
Tecnologia
HEXFET Power-MOSFET
Temperatura operacional
-40...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier