Transistor de canal N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V

Transistor de canal N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V

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Transistor de canal N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.049 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 7370pF. Custo): 520pF. Diodo Trr (mín.): 300 ns. IDss (min): 5uA. Id(im): 190A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 430W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Idm--190Ap.. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura operacional: -40...+175°C. Temperatura: +175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP4242
29 parâmetros
DI (T=100°C)
33A
DI (T=25°C)
46A
Idss (máx.)
150uA
On-resistência Rds On
0.049 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
300V
C (pol.)
7370pF
Custo)
520pF
Diodo Trr (mín.)
300 ns
IDss (min)
5uA
Id(im)
190A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
430W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Idm--190Ap.
Tecnologia
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatura operacional
-40...+175°C
Temperatura
+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier