Transistor de canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Transistor de canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.34€
5-9
4.63€
10-24
4.17€
25-49
3.86€
50+
3.43€
Quantidade em estoque: 43

Transistor de canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 4560pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 390pF. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Função: PDP MOSFET. IDss (min): 20uA. Id(im): 180A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. Peso: 5.8g. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura operacional: -40...+175°C. Temperatura: +175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP4229PBF
34 parâmetros
DI (T=100°C)
31A
DI (T=25°C)
44A
Idss (máx.)
1mA
On-resistência Rds On
0.038 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
250V
C (pol.)
4560pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
390pF
Diodo Trr (mín.)
190 ns
Função
PDP MOSFET
IDss (min)
20uA
Id(im)
180A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
310W
Peso
5.8g
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
25 ns
Td(ligado)
44 ns
Tecnologia
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatura operacional
-40...+175°C
Temperatura
+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
25
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier