Transistor de canal N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor de canal N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.21€
5-24
2.72€
25-49
2.37€
50-74
2.12€
75+
1.85€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 11

Transistor de canal N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 180A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP3710
28 parâmetros
DI (T=100°C)
40A
DI (T=25°C)
57A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.026 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
3000pF
Custo)
640pF
Diodo Trr (mín.)
210 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
180A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
58 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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