Transistor de canal N IRFP360PBF, 400V, 0.20 Ohms, 400V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V. Carcaça (padrão JEDEC): -. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4500pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Corrente máxima de drenagem: 23A. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 23A. Marcação do fabricante: IRFP360PBF. Número de terminais: 3. Potência: 280W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:38