Transistor de canal N IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Transistor de canal N IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.74€
5-9
4.28€
10-24
3.79€
25-49
3.45€
50+
3.05€
Quantidade em estoque: 9

Transistor de canal N IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 4500pF. Custo): 1100pF. Diodo Trr (mín.): 420 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 92A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP360
29 parâmetros
DI (T=100°C)
14A
DI (T=25°C)
23A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.20 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
400V
C (pol.)
4500pF
Custo)
1100pF
Diodo Trr (mín.)
420 ns
IDss (min)
25uA
Id(im)
92A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
280W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
100 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier