Transistor de canal N IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V

Transistor de canal N IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.07€
5-24
3.60€
25-49
3.25€
50+
2.94€
Quantidade em estoque: 61

Transistor de canal N IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Função: Comutação de energia de alta velocidade. IDss (min): 20uA. Id(im): 840A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP3206
29 parâmetros
DI (T=100°C)
140A
DI (T=25°C)
200A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
2.4M Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
6540pF
Custo)
720pF
Diodo Trr (mín.)
33 ns
Função
Comutação de energia de alta velocidade
IDss (min)
20uA
Id(im)
840A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
280W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
55 ns
Td(ligado)
19 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier