Transistor de canal N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Transistor de canal N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
10.93€
5-24
10.26€
25-49
9.66€
50+
9.02€
Quantidade em estoque: 28

Transistor de canal N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 5000pF. Custo): 553pF. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 50uA. Id(im): 124A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP31N50L
29 parâmetros
DI (T=100°C)
20A
DI (T=25°C)
31A
Idss (máx.)
2mA
On-resistência Rds On
0.15 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
5000pF
Custo)
553pF
Diodo Trr (mín.)
170 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
IDss (min)
50uA
Id(im)
124A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
460W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
54 ns
Td(ligado)
28 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier