Transistor de canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Transistor de canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Quantidade
Preço unitário
1-4
7.27€
5-9
6.62€
10-24
6.17€
25-49
5.75€
50+
5.13€
Quantidade em estoque: 63

Transistor de canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. DI (T=100°C): 148A. DI (T=25°C): 209A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.6m Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 13000pF. Custo): 2100pF. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (min): 20uA. Id(im): 870A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 470W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP2907
30 parâmetros
DI (T=100°C)
148A
DI (T=25°C)
209A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
3.6m Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
75V
C (pol.)
13000pF
Custo)
2100pF
Diodo Trr (mín.)
140 ns
Função
AUTOMOTIVE MOSFET
IDss (min)
20uA
Id(im)
870A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
470W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
130 ns
Td(ligado)
23 ns
Tecnologia
HEXFET ® Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier