Transistor de canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Transistor de canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
10.12€
5-14
9.37€
15-29
8.84€
30-59
8.42€
60+
7.78€
Quantidade em estoque: 15

Transistor de canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4660pF. Custo): 460pF. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Função: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. IDss (min): 50uA. Id(im): 110A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP27N60KPBF
30 parâmetros
DI (T=100°C)
18A
DI (T=25°C)
27A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.18 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
4660pF
Custo)
460pF
Diodo Trr (mín.)
620 ns
Função
SMPS MOSFET, Low Gate Charge
IDss (min)
50uA
Id(im)
110A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
500W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
43 ns
Td(ligado)
27 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Vishay