Transistor de canal N IRFP250, TO247, TO247AC. Carcaça: TO247, TO247AC. Cobrar: 82nC, 123nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 30A. Montagem/instalação: THT. Polaridade: unipolar. Potência: 214W. Resistência térmica da habitação: 700mK/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 04/10/2025, 11:04