Transistor de canal N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V

Transistor de canal N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V

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Transistor de canal N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V. Carcaça: TO247. Vdss (dreno para tensão da fonte): 200V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Corrente máxima de drenagem: 20A. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 20A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 20A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRFP240PBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Polaridade: MOSFET N. Potência: 150W. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:38

Documentação técnica (PDF)
IRFP240PBF
28 parâmetros
Carcaça
TO247
Vdss (dreno para tensão da fonte)
200V
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
200V
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
200V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
45 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1300pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.18 Ohms @ 12A
Corrente máxima de drenagem
20A
Dissipação máxima Ptot [W]
150W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
20A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
20A
Marcação do fabricante
IRFP240PBF
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Polaridade
MOSFET N
Potência
150W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
14 ns
Tensão de condução
10V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montagem
THT
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
Vishay (ir)