Transistor de canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V

Transistor de canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V

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1-4
2.80€
5-24
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25-49
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50-99
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Transistor de canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1300pF. Cobrar: 70nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 12A, 20A. Custo): 400pF. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 80A. Marcação do fabricante: IRFP240PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Peso: 4.6g. Polaridade: unipolar. Potência: 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) IRFP9240. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP240
42 parâmetros
Carcaça
TO-247
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.18 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
1300pF
Cobrar
70nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
12A, 20A
Custo)
400pF
Diodo Trr (mín.)
300 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
80A
Marcação do fabricante
IRFP240PBF
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Peso
4.6g
Polaridade
unipolar
Potência
150W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
0.18 Ohms
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) IRFP9240
Td(desligado)
45 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
200V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
25
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Vishay