Transistor de canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Transistor de canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.46€
5-9
4.79€
10-24
4.26€
25-49
3.96€
50+
3.48€
Quantidade em estoque: 31

Transistor de canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 22A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3450pF. Custo): 513pF. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Função: SMPS MOSFET. IDss (min): 25uA. Id(im): 88A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 277W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP22N50A
27 parâmetros
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
22A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.23 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
3450pF
Custo)
513pF
Diodo Trr (mín.)
570 ns
Função
SMPS MOSFET
IDss (min)
25uA
Id(im)
88A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
277W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
47 ns
Td(ligado)
26 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier