Transistor de canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Transistor de canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.28€
5-24
4.76€
25-49
4.37€
50-99
4.04€
100+
3.53€
Quantidade em estoque: 45

Transistor de canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0042 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5600pF. Custo): 1310pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 25uA. Id(im): 640A. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. Potência: 310W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP1405PBF
29 parâmetros
DI (T=100°C)
110A
DI (T=25°C)
160A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.0042 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
5600pF
Custo)
1310pF
Diodo Trr (mín.)
70 ns
Função
Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
IDss (min)
25uA
Id(im)
640A
Pd (dissipação de energia, máx.)
310W
Potência
310W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
140 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Vishay