Transistor de canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V

Transistor de canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V

Quantidade
Preço unitário
1+
9.68€
+129 peças adicionais disponíveis em stock remoto (entrega em 4 horas). Contacte-nos para saber preços e disponibilidade!
Quantidade em estoque: 373

Transistor de canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V. Carcaça: TO247AC. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V. Carcaça (padrão JEDEC): -. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4000pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Corrente máxima de drenagem: 98A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 110A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 110A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRFP064NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: MOSFET N. Potência: 150W. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22

Documentação técnica (PDF)
IRFP064NPBF
29 parâmetros
Carcaça
TO247AC
Vdss (dreno para tensão da fonte)
55V
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
55V
On-resistência Rds On
0.008 Ohms
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
55V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
43 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
4000pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.008 Ohms @ 59A
Corrente máxima de drenagem
98A
Dissipação máxima Ptot [W]
200W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
110A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
110A
Marcação do fabricante
IRFP064NPBF
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Polaridade
MOSFET N
Potência
150W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
14 ns
Tensão de condução
10V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montagem
THT
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
International Rectifier