Transistor de canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Transistor de canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

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Transistor de canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 4000pF. Cobrar: 113.3nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 98A. Custo): 1300pF. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 390A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: unipolar. Potência: 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1K/W. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP064N
40 parâmetros
Carcaça
TO-247
DI (T=100°C)
59A
DI (T=25°C)
110A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.008 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
4000pF
Cobrar
113.3nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
98A
Custo)
1300pF
Diodo Trr (mín.)
110 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
390A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Polaridade
unipolar
Potência
150W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência térmica da habitação
1K/W
RoHS
sim
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(desligado)
43 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
55V
Tensão de fonte de porta
20V, ±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
25
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier