Transistor de canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Transistor de canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.21€
5-24
2.80€
25-49
2.47€
50-99
2.19€
100+
1.82€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 108

Transistor de canal N IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 81A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.012 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2900pF. Custo): 880pF. Diodo Trr (mín.): 81 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 290A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP054N
29 parâmetros
DI (T=100°C)
57A
DI (T=25°C)
81A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.012 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
2900pF
Custo)
880pF
Diodo Trr (mín.)
81 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
290A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
170W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
40 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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